NTHD4P02FT1G, Trans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001281555
- Артикул
- NTHD4P02FT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 1
- Длина
- 3.05 mm
- Серия
- NTHD4P02
Цена по запросу
(от 51 ₽)
Минимальный заказ: 600 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | NTHD4P02 |
| Высота | 1.05 mm |
| Ширина | 1.65 mm |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Структура | P-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 13 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single with Schottky Diode |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | ChipFET-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время нарастания | 13 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |