NTHD4102PT1G, 20V 2.9A 1.1W 80mOhm@4.5V,2.9A 1.5V@250uA 2 P-Channel SMD-8P MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8044372848
Артикул: NTHD4102PT1G
Бренд: ON Semiconductor***
Width: 1.7mm
Pin Count: 8
Вес, г: 0.06
Channel Mode: Enhancement

Datasheet NTHD4102PT1Gpdf, 100 КБ Техническая информацияpdf, 197 КБ

Цена по запросу

(от 136,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width	1.7mm
Pin Count	8
Вес, г	0.06
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P Channel
Package Type	ChipFET
Mounting Type	Surface Mount
Структура	2 P-Channel
Transistor Material	Si
Особенности	-
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Power Dissipation	2.1 W
Typical Gate Charge @ Vgs	7.6 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip	2
Power Dissipation N Channel	1.1Вт
Power Dissipation P Channel	1.1Вт
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Drain Source Resistance	170 mΩ
Maximum Continuous Drain Current	4.1 A
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Drain Source On State Resistance N Channel	0.064Ом
Drain Source On State Resistance P Channel	0.064Ом
Стиль Корпуса Транзистора	ChipFET
Непрерывный Ток Стока, N Канал	2.9А
Непрерывный Ток Стока, P Канал	2.9А
Пороговое напряжение на затворе	400mV@250uA
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал	20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал	20В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	2.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	80мОм

Техническая документация

Datasheet NTHD4102PT1Gpdf, 100 КБ Техническая информацияpdf, 197 КБ