NTHD4102PT1G, MOSFETs -20V -4.1A Dual P-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006223632
- Артикул
- NTHD4102PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.7mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.06
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 126,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.06 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Package Type | ChipFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | полевая сборка |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.6 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Power Dissipation N Channel | 1.1Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.1Вт |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.1 A |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.064Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.064Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | ChipFET |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 2.9А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 2.9А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |