NTHD3100CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031941376
- Артикул
- NTHD3100CT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- ChipFET
- Тип
- MOSFET
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 193,43 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V +3.9A/-4.4A Complementary
Технические параметры
| Case | ChipFET |
| Тип | MOSFET |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | NTHD3100C |
| Gate charge | 7.4nC |
| Package Type | ChipFET |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 1.05 mm |
| Ширина | 1.65 mm |
| Drain current | 3.9/-4.4A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 3.1W |
| Kind of transistor | complementary pair |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±12/±8V |
| On-state resistance | 115/110mΩ |
| Drain-source voltage | 20/-20V |
| Pulsed drain current | 12A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 1.5 ns, 12.4 ns |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1.1 W |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | ChipFET-8 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 2.3 nC, 7.4 nC |
| Время нарастания | 10.7 ns, 11.7 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A, 3.2 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V, - 2.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms, 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 9.6 ns, 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.3 ns, 5.8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV, 450 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S, 8 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.064 Ом |