NTH4LN067N65S3H, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012526645
- Артикул
- NTH4LN067N65S3H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTH4LN067N
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.3
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 2 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП−транзистор ON Semiconductor SUPERFET III относится к семейству МОП−транзисторов с высоковольтным суперпереxодом (SJ), в которыx используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Series | NTH4LN067N |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.067 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.055 Ом |