NTH Type N-Channel MOSFET, 17.3 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L160N120SC1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014533528
- Артикул
- NTH4L160N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTH
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 310 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор из карбида кремния (SiC) Elite-SIC, 160 мом, 1200 В, M1, TO-247-4L МОП-транзистор из карбида кремния (SiC) ELITE -SIC, 160 мом, 1200 В, M1, TO-247-4L: Силовой МОП-транзистор из карбида кремния ON Semiconductor работает при напряжении 17,3 ампера и напряжении 1200 Вольт. Его можно использовать в источникаx бесперебойного питания, преобразователяx постоянного тока, повышающиx инвертораx.
Технические параметры
| Series | NTH |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Технология | SiC |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.224 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 17.3 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 111 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |