NTH4L080N120SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004137066
- Артикул
- NTH4L080N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO247-4
- Series
- NTH
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 2 050 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Silicon Carbide МОП-транзистор, N-Channel, 1200 V, 80 mO, TO247-4L Silicon Carbide МОП-транзистор, N?Channel, 1200 V, 80 m?, TO247?4L
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Series | NTH |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 4 |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 2 |
| Gate charge | 56nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | TO-247-4 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 21A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 28W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | -15…25V |
| On-state resistance | 80mΩ |
| Transistor Material | SiC |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 125A |
| Технология | SiC |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.11 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Размер фабричной упаковки | 450 |