NTH4L075N065SC1, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 38 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013010544
- Артикул
- NTH4L075N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- TO247-4L
- Mounting Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 1 640 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В МОП-транзистораx ON Semiconductor N-й серии из карбида кремния используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную производительность переключения и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO247-4L |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.057 Ом |