Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023403695
Артикул
NTH4L070N120M3S
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Структура
MOSFET
Особенности
высоковольтный
Пороговое напряжение на затворе
-10 V, +22 V
Цена по запросу
(от 1 500 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
СтруктураMOSFET
Особенностивысоковольтный
Пороговое напряжение на затворе-10 V, +22 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)65 мОм