NTH4L045N065SC1, Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009186812
- Артикул
- NTH4L045N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- SiC Power
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.4
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 2 060 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В МОП-транзистораx ON Semiconductor серии SiC Power используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную производительность коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.
Технические параметры
| Series | SiC Power |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.4 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 187W |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Drain Source Voltage | 650V |
| Особенности | высоковольтный |
| Continuous Drain Current | 55A |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.05 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 187 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.033 Ом |