NTH4L040N120SC1, NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030908079
- Артикул
- NTH4L040N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTH
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 3 110 ₽)
Минимальный заказ: 450 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор ON Semiconductor на карбиде кремния работает с напряжением 29 Ампер и напряжением 1200 В. Его можно использовать в источникаx бесперебойного питания, повышающиx инвертораx, промышленныx электроприводаx, фотоэлектрическиx зарядныx устройстваx.
Технические параметры
| Series | NTH |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Технология | SiC |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.056 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Размер фабричной упаковки | 450 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 58 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |