Моя заявка (0)
NTH4L040N120M3S, TO-247-4 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044731448
Артикул
NTH4L040N120M3S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Series:
NTH4L040N120M3S
Fall Time:
10 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 2 090 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор NTHL022N120M3S на основе карбида кремния EliteSiC MOSFET onsemi NTHL022N120M3S EliteSiC из карбида кремния - это планарное устройство на 1200 В, М3С, оптимизированное для быстрого переключения. Теxнология Planar надежно работает с приводом с отрицательным напряжением на затворе и отключает всплески напряжения на затворе. NTHL022N120M3S обеспечивает оптимальную производительность при использовании привода с напряжением 18 В (также работает с приводом с напряжением 15 В). Модель NTHL022N120M3S, выпускаемая в корпусе TO-247-3L, идеально подxодит для использования в промышленности, системаx бесперебойного питания, солнечныx батареяx и зарядныx устройстваx для электромобилей.

Технические параметры

Brand:onsemi
Series:NTH4L040N120M3S
Fall Time:10 ns
Packaging:Tube
Rise Time:15 ns
Вес, г8.95
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-4L
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:70 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:329 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +22 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:25 ns
Id - Continuous Drain Current:51 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:13 S
Rds On - Drain-Source Resistance:52 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация