NTH4L032N065M3S, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040466913
- Артикул
- NTH4L032N065M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- onsemi
- Series
- NTH
- Pin Count
- 4
- Mount Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 1 380 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор на полупроводниковом карбиде кремния (SiC) EliteSiC представляет собой устройство напряжением 650 В и 32 Мом в корпусе M3S TO247-4L. Он отличается сверxнизким зарядом затвора (QG(tot) = 55 нМ) и высокоскоростной коммутацией при низкой емкости (Coss = 114 пФ). Устройство прошло 100%-ные лавинные испытания, не содержит галогенов и соответствует требованиям стандарта RoHS (исключение 7a). Оно также не содержит свинца при подключении второго уровня, что делает его подxодящим для применения в силовой электронике с высокими требованиями.
Технические параметры
| Brand | onsemi |
| Series | NTH |
| Pin Count | 4 |
| Mount Type | Through Hole |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | TO-247-4L |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | to247 |
| Forward Voltage Vf | 6V |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation Pd | 187W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 44mΩ |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 32мОм |