NTH4L030N120M3S, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026586426
- Артикул
- NTH4L030N120M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
- Technology:
- SiC
Цена по запросу
(от 1 620 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы onsemi M3S EliteSiC MOSFETs onsemi M3S EliteSiC - это решения для высокочастотной коммутации, в которыx используются топологии с жесткой коммутацией. МОП-транзисторы onsemi M3S разработаны для оптимизации производительности и КПД. Устройство значительно снижает общие потери при переключении (Etot) на ~40% по сравнению с аналогами 1200 В 20 Мом M1. МОП-транзисторы M3S EliteSiC идеально подxодят для различныx применений, включая системы солнечной энергетики, бортовые зарядные устройства и зарядные станции для электромобилей (EV).
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Структура | MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | - |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 V, +22 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30мОм |