NTH4L028N170M1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 81 A, 1.7 kV, 0.028 ohm, TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046385888
- Артикул
- NTH4L028N170M1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +25V, -15V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
- Вес, г
- 14.64
Цена по запросу
(от 7 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1700 В 81А (Tc) 535 Вт (Tc) со сквозным отверстием TO-247-4L
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 14.64 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 60A, 20V |
| Power Dissipation (Max) | 535W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 20 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4230 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 81A(Tc) |