Моя заявка (0)
NTH4L023N065M3S, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038517672
Артикул
NTH4L023N065M3S
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Корпус
to247
Структура
MOSFET
Особенности
высоковольтный
Цена по запросу
(от 1 360 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые МОП-транзисторы ON SiC оптимизированы для быстрой коммутации. Теxнология Planar надежно работает с приводом с отрицательным напряжением на затворе и отключает всплески напряжения на затворе. Она обеспечивает оптимальную производительность при работе с приводом на 18 В, но также xорошо работает с приводом на 15 В.

Технические параметры

Вес, г1
Корпусto247
СтруктураMOSFET
Особенностивысоковольтный
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)23мОм

Техническая документация