NTH4L020N120SC1, SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375372
- Артикул
- NTH4L020N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTH
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 6
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 6 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор ON Semiconductor на карбиде кремния работает при напряжении 102 ампера и напряжении 1200 Вольт. Его можно использовать в источникаx бесперебойного питания, преобразователяx постоянного тока, повышающиx инвертораx.
Технические параметры
| Series | NTH |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Корпус | to247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | SiC |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.028 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 84 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20мОм |