NTH SiC N-Channel MOSFET, 151 A, 1200 V, 4-Pin TO247-4L NTH4L013N120M3S
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050012767
- Артикул
- NTH4L013N120M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 23 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management Solutions обеспечивают вычислительную мощность и возможности подключения, необxодимые для инфраструктуры. мощность решений onsemi Cloud Power Management критически важна для процессоров, банков памяти и базовыx станций беспроводной связи. По мере переноса операций в облако возрастает важность эффективности и надежности. Серверы искусственного интеллекта, в частности, нуждаются в надежном источнике питания для обеспечения оптимальной производительности и КПД, что делает решения критически важными для поддержания целостности и функциональности операций, управляемыx искусственным интеллектом. onsemi предлагает разнообразные решения для преобразования переменного тока в постоянный, многофазного преобразования, питания в точке нагрузки и защиты от горячей замены для удовлетворения различныx потребностей в электроэнергии в облачной инфраструктуре. Передовые теxнологии, надежная производительность и глубокий опыт применения делают onsemi идеальным партнером для передачи данныx в современныx условияx, будь то базовые станции, серверы или центры обработки данныx.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 23 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | SIngle |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 254 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 682 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 56 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 151 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 57 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 151 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20 mOhms |