NTGS5120PT1G, 60V 1.8A 111mOhm@10V,2.9A 600mW 3V@250uA P Channel TSOP-6-1.5mm MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017622783
- Артикул
- NTGS5120PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.7mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.12
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 56,65 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.7mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.12 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSOP-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18.1 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 142 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 111мОм |