NTGS5120PT1G, SOT-23-6 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015847989
- Артикул
- NTGS5120PT1G
- Бренд
- TECH PUBLIC
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- NTGS5120P
- Product
- MOSFET Small Signal
- Fall Time
- 4.9 ns
Цена по запросу
(от 23,67 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | NTGS5120P |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 4.9 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 4.9 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.05 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SOT-23-6 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSOP-6 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.4 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 38 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 110 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |