NTGS4111PT1G, MOSFETs -30V -4.7A P-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375370
- Артикул
- NTGS4111PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 32
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 1.25Вт
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 61,96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,7А; 1,25Вт; TSOP6
Технические параметры
| Вес, г | 32 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 1.25Вт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.06Ом |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 4.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.06Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 36mΩ@4.7A, 10V |