NTGD4167CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017539621
- Артикул
- NTGD4167CT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 1.5 mm
- Height
- 0.94 mm
Цена по запросу
(от 57,60 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор, комплементарный, 30 В, +2,9/-2,2 А, TSOP−6, Двойной комплементарный N−канальный и P-канальный МОП-транзисторы
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 1.5 mm |
| Height | 0.94 mm |
| Length | 3 mm |
| Series | NTGD4167C |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 4 ns, 8 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 6 |
| Rise Time | 4 ns, 8 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.1 |
| Unit Weight | 0.000705 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TSOP |
| Configuration | N-Channel, P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSOP-6 |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.1 W |
| Transistor Configuration | Dual |
| Maximum Power Dissipation | 1.1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns, 8 ns |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns, 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 2.2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms, 170 mOhms |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Непрерывный Ток Стока | 2.6А |
| Рассеиваемая Мощность | 900мВт |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 900мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.052Ом |