NTGD3148NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,2А; 0,9Вт; TSOP6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041297408
- Артикул
- NTGD3148NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.1
- FET Feature
- Logic Level Gate
- Power - Max
- 900mW
Цена по запросу
(от 59,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Массив Моп-транзисторов 20В 3А 900 МВт для поверxностного монтажа 6-TSOP
Технические параметры
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 900mW |
| Корпус | TSOP6 |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |