NTF6P02T3G, MOSFETs -20V -6A P-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004739207
- Артикул
- NTF6P02T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 60 ns, 50 ns
- Rise Time:
- 30 ns, 25 ns
Цена по запросу
(от 92,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 60 ns, 50 ns |
| Rise Time: | 30 ns, 25 ns |
| Вес, г | 94 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOT-223-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 8.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns, 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns, 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -5 V, +5 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |