NTF5P03T3G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 3,13Вт; SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566023
- Артикул
- NTF5P03T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 3.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.45
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 132,43 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 3.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.45 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 1.56W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.13 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 38nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 950pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.7A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.13 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 100mΩ@10V, 5.2A |