NTF3055-100T1G, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 3А, 2,1Вт, SOT223-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537969
- Артикул
- NTF3055-100T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Width
- 3.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.21
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 3А, 2,1Вт, SOT223-4 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Width | 3.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.21 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Корпус | SOT223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V dc |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 324pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 110 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 110pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 88mΩ@2.5V, 1.5A |