Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026248062
Артикул
NTF2955T1G
Бренд
JSMicro Semiconductor Co., Ltd
Вес, г
0.2
Корпус
SOT-223
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
1W
Цена по запросу
(от 39,47 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.2
КорпусSOT-223
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)1W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)14.3nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)492pF@25V
Continuous Drain Current (Id)1.7A
Пороговое напряжение на затворе4V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)185mΩ@10V, 2.4A