NTE4151PT1G, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-89, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000897437
- Артикул
- NTE4151PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi
- Series:
- NTE4151P
- Product:
- MOSFET Small Signals
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -0,76А, 313мВт, SC89 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi |
| Series: | NTE4151P |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 8.2 ns |
| Rise Time: | 8.2 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SC-89 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-89-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 313мВт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.1 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 313 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 760 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.4 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.26Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 490 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 760мА |
| Рассеиваемая Мощность | 313мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-89 |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.26Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.76 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.313 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.26 Ом |