NTD6414ANT4G,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 32 A, 0.037 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8457905245
- Артикул
- NTD6414ANT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 48 ns
- Rise Time:
- 52 ns
- Вес, г
- 0.401
Цена по запросу
(от 238 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 48 ns |
| Rise Time: | 52 ns |
| Вес, г | 0.401 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 18 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 37 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.037 Ом |