Моя заявка (0)

NTD6414AN-1G, Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

NTD6414AN-1G, Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001173947
Артикул
NTD6414AN-1G
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 446 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 100V 32A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) IPAK Tube

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width2.38(Max)mm
Package Length6.73(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageIPAK
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-251
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)48
Typical Rise Time (ns)52
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)100000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)40
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)40@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)11
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)38
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)32
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1450@25V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)37@10V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А32
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация