Моя заявка (0)

SUPERFET III N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin DPAK NTD600N80S3Z

SUPERFET III N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V, 3-Pin DPAK NTD600N80S3Z

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072250777
Артикул
NTD600N80S3Z
Бренд
ON Semiconductor***
Type
N Channel
Series
SUPERFET III
Pin Count
3
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 484,55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы ON Semiconductor серии SUPERFET III позволяют создавать более эффективные, компактные, более xолодные и надежные приложения благодаря своей замечательной производительности в системаx коммутационного питания, такиx как адаптеры для ноутбуков, аудио, осветительные приборы, ATX-блоки питания и промышленные источники питания.

Технические параметры

TypeN Channel
SeriesSUPERFET III
Pin Count3
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)60W
Особенностивысоковольтный
Total Gate Charge (Qg@Vgs)15.5nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)725pF@400V
Maximum Drain Source Voltage800 V
Continuous Drain Current (Id)8A
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Maximum Drain Source Resistance0.6 Ω
Maximum Continuous Drain Current8 A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Пороговое напряжение на затворе3.8V@180uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)550mΩ@10V, 4A

Техническая документация