NTD600N80S3Z, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017550062
- Артикул
- NTD600N80S3Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Series
- SUPERFET III
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 499 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
800 В, 8 А, 550 Мом при 10 В, 4 А, 60 Вт 3.8V@180uA N-канальные МОП-транзисторы TO-252 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Series | SUPERFET III |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15.5nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 725pF@400V |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.6 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.8V@180uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 550mΩ@10V, 4A |