NTD5865NLT4G, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 46А, 71Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537968
- Артикул
- NTD5865NLT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.38
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 213,77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NTD5865NLT4G - это N-канальный силовой МОП-транзистор с низким уровнем заряда затвора, высокой пропускной способностью по току и быстрым переключением. • 100%-ная лавинная проверка • Напряжение между затвором и источником составляет ±20 В • Тепловое сопротивление соединения с корпусом (сливом) 2,1°C/Вт • Тепловое сопротивление соединения с окружающей средой 49°C/Вт
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.38 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 52Вт |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 52 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 19 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.016Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 46А |
| Рассеиваемая Мощность | 52Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.016Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 71 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |