Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026248228
Артикул
NTD5807NT4G-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.38
Корпус
to252
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 62,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.38
Корпусto252
СтруктураMOSFET
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)55A
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)13mΩ@10V