Моя заявка (0)

NTD4858N-35G, Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

NTD4858N-35G, Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001222314
Артикул
NTD4858N-35G
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 765 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 25V 14A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) IPAK-трубка

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width2.38(Max)mm
Package Length6.73(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageIPAK
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-251
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)2.8|5.1
Typical Rise Time (ns)17.3|20.2
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)25.7
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)25.7@10V|12.8@4.5V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Output Capacitance (pF)405
Typical Turn-On Delay Time (ns)7.7|12.6
Maximum Drain-Source Voltage (V)25
Typical Turn-Off Delay Time (ns)23.8|16.4
Typical Gate to Drain Charge (nC)5.2
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.5
Typical Gate to Source Charge (nC)4.7
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)14
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1563@12V
Typical Reverse Recovery Charge (nC)3
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)6.2@10V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация