SUPERFET III N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin DPAK NTD360N65S3H
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014572289
- Артикул
- NTD360N65S3H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Series
- SUPERFET III
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 618 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET SUPERFET III - это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП-транзисторов super-junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Series | SUPERFET III |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 83W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17.5nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 916pF@400V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.36 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@700uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 296mΩ@10V, 5A |