NTD3055L170T4G-VB, 60V 16.9A 73m-@10V,6.6A 41.7W 3V@250uA 40pF@30V N Channel 860pF@30V 19.8nC@10V -55-~+150-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015937616
- Артикул
- NTD3055L170T4G-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.39
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 49,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 16,9 А 73 Мом при 10 В, 6,6 А 41,7 Вт 3 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-252-2 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.39 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 41.7W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19.8nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 860pF@30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 16.9A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 40pF@30V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 41.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 73mΩ@10V, 6.6A |