Моя заявка (0)

NTD3055L170T4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; 28,5Вт; DPAK

NTD3055L170T4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 3А; 28,5Вт; DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017547121
Артикул
NTD3055L170T4G
Бренд
ON Semiconductor***
Type
N Channel
Вес, г
0.09
Структура
MOSFET
Operating Temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 180 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Изделие NTD3055L170T4G — изделие серии NTD305. Характеристики Обозначение: NTD3055L170T4G Производитель: ONS Единица измерения: шт

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.09
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)41.7W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)19.8nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)860pF@30V
Continuous Drain Current (Id)16.9A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)40pF@30V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт28.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)73mΩ@10V, 6.6A

Техническая документация