NTD3055L104T4G, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 10А, Idm 45А, 48Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017545397
- Артикул
- NTD3055L104T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.66
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 69,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.66 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.4 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -15 V, +15 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 104 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -15 V, +15 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.21 Ом/5.6A, 10В |