N-Channel MOSFET, 9 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD3055-150T4G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010430906
- Артикул
- NTD3055-150T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 8
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 94 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 8 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W;28.8W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 28.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.1 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 280pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 9A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 150mΩ@10V, 4.5A |