Моя заявка (0)

NTD3055-094T4G, МОП-Транзистор TO-252 МОП-Транзистор

NTD3055-094T4G, МОП-Транзистор TO-252 МОП-Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017605251
Артикул
NTD3055-094T4G
Бренд
ON Semiconductor***
Type
1PCSNChannel
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 70,68 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 12 А 94 Мом при 6 А, 10 В 4 В при 250 мкА 1 шт. одноканальныx МОП-транзисторов TO-252 ROHS

Технические параметры

Type1PCSNChannel
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.66
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураМОП-транзистор
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs94mOhm @ 6A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)1.5W(Ta), 48W(Tj)
Supplier Device PackageDPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Continuous Drain Current (Id)18A
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A(Ta)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)-

Техническая документация