NTD2955T4G МОП-транзистор, P Канал, 12 А, -60 В, 0.155 Ом, -10 В, -2.8 В
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061360317
- Артикул
- NTD2955T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.45
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 55Вт
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.45 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 55 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| кол-во в упаковке | 2500 |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |