Моя заявка (0)

onsemi NTD N-Channel MOSFET + Diode, 13 A, 600 V, 3-Pin DPAK NTD280N60S5Z

onsemi NTD N-Channel MOSFET + Diode, 13 A, 600 V, 3-Pin DPAK NTD280N60S5Z

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063882485
Артикул
NTD280N60S5Z
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
4.53 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
4.27 ns
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы SuperFET® V onsemi SuperFET® V - это МОП-транзисторы пятого поколения с высоковольтным переxодом Super Junction (SJ). Эти устройства обеспечивают лучший в своем классе коэффициент полезного действия (FoMs) (RDS(ON)·QG и RDS (ON)·EOSS), что позволяет повысить эффективность не только при большой, но и при малой нагрузке. МОП-транзисторы SuperFET V напряжением 600 В обеспечивают конструктивные преимущества за счет снижения потерь на проводимость и коммутацию, а также поддерживают экстремальные значения MOSFET DVD/dt при 120 В/нс. МОП-транзисторы SuperFET V серии FAST обеспечивают максимальную эффективность системы и плотность мощности. Серия MOSFET SuperFET V Easy Drive сочетает в себе отличные xарактеристики коммутации без ущерба для простоты использования как для топологий с жесткой, так и с мягкой коммутацией. Типичные области применения включают телекоммуникации, облачные системы и промышленность.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:4.53 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:4.27 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:17.9 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:89 W
Typical Turn-On Delay Time:15.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:52 ns
Id - Continuous Drain Current:13 A
Maximum Operating Temperature:+170 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V