onsemi NTD N-Channel MOSFET + Diode, 13 A, 600 V, 3-Pin DPAK NTD280N60S5Z

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063882485
- Артикул
- NTD280N60S5Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 4.53 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 4.27 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы SuperFET® V onsemi SuperFET® V - это МОП-транзисторы пятого поколения с высоковольтным переxодом Super Junction (SJ). Эти устройства обеспечивают лучший в своем классе коэффициент полезного действия (FoMs) (RDS(ON)·QG и RDS (ON)·EOSS), что позволяет повысить эффективность не только при большой, но и при малой нагрузке. МОП-транзисторы SuperFET V напряжением 600 В обеспечивают конструктивные преимущества за счет снижения потерь на проводимость и коммутацию, а также поддерживают экстремальные значения MOSFET DVD/dt при 120 В/нс. МОП-транзисторы SuperFET V серии FAST обеспечивают максимальную эффективность системы и плотность мощности. Серия MOSFET SuperFET V Easy Drive сочетает в себе отличные xарактеристики коммутации без ущерба для простоты использования как для топологий с жесткой, так и с мягкой коммутацией. Типичные области применения включают телекоммуникации, облачные системы и промышленность.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 4.53 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4.27 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 17.9 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 89 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 52 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Operating Temperature: | +170 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |