Моя заявка (0)

NTD250N65S3H, 650V 13A 201mOhm@10V,6.5A 106W 4V@1.1mA N Channel 1.261nF@400V 24nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TO-252-2 MOSFETs ROHS

NTD250N65S3H, 650V 13A 201mOhm@10V,6.5A 106W 4V@1.1mA N Channel 1.261nF@400V 24nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TO-252-2 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017661258
Артикул
NTD250N65S3H
Бренд
ON Semiconductor***
Series
SUPERFET III
Pin Count
3
Вес, г
0.35
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 140,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия полевыx транзисторов ON Semiconductor SUPER − это совершенно новые высоковольтные МОП-транзисторы super junction, в которыx используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.

Технические параметры

SeriesSUPERFET III
Pin Count3
Вес, г0.35
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.25 Ω
Maximum Continuous Drain Current13 A
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт106
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)201мОм

Техническая документация