NTD20P06LT4G, MOSFETs -60V -15.5A P-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006221491
- Артикул
- NTD20P06LT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой NTD20P06LT4G от производителя ONSEMI – это высококачественный компонент для современной электроники. Монтаж данного транзистора осуществляется методом SMD, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. С током стока в 15,5 А и напряжением сток-исток в 60 В, этот N-MOSFET станет надежным решением для управления питанием. Мощность устройства составляет 65 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,13 Ом, гарантирует высокую эффективность. Корпус DPAK способствует оптимальному распределению тепла. Используйте NTD20P06LT4G для повышения производительности ваших электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 15.5 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 65 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.13 Корпус DPAK
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.5 A |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |