N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V, 3-Pin DPAK NTD20N03L27T4G
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8323308876
- Артикул
- NTD20N03L27T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.22mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 4
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 182,10 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 74 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18.9 nC @ 10 V dc |
| Maximum Gate Source Voltage | -24 V, +24 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 31 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.023 Ом |