NTD14N03RT4G, Power MOSFET, N Channel, 25 V, 14 A, 0.0704 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8218888050
- Артикул
- NTD14N03RT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Тип
- MOSFET
- Вес, г
- 0.426
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- NTD14N03R
Цена по запросу
(от 117 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 25V 14A N-Channel
Технические параметры
| Тип | MOSFET |
| Вес, г | 0.426 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | NTD14N03R |
| Высота | 2.38 mm |
| Корпус | TO-252 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 27 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время нарастания | 27 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.56 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 9.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.8 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0704 Ом |