NTBS9D0N10MC, NTB Type N-Channel MOSFET & Diode, 60 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014537376
- Артикул
- NTBS9D0N10MC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTB
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В одноканальном МОП-транзисторе ON Semiconductor на 100 В используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодную производительность коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевым.
Технические параметры
| Series | NTB |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |