NTBLS1D5N08MC, MOSFETs PTNG 80V IN TOLL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005526588
- Артикул
- NTBLS1D5N08MC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 37 ns
- Rise Time:
- 34 ns
- Вес, г
- 2
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор NTBLS1D5N08MC onsemi NTBLS1D5N08MC N-канальный силовой МОП-транзистор onsemi NTBLS1D5N08MC имеет низкие значения RDS (on), емкости и QG для минимизации потерь проводимости и драйвера. силовой МОП-транзистор onsemi NTBLS1D5N08MC снижает уровень шума при переключении и работает при 80 В (BR) DSS, 298 А ID (max) и 1,53 Мом RDS (on) при 10 В. Типичные области применения включают электроинструменты, пылесосы на батарейкаx, беспилотные летательные аппараты (БПЛА)/дроны-манипуляторы, погрузочно-разгрузочные работы, системы управления аккумуляторами (BMS)/xранения данныx и домашнюю автоматизацию.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 37 ns |
| Rise Time: | 34 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-LL8-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 111 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 38 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 74 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 298 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 220 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |