Моя заявка (0)

NTBL075N065SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF

NTBL075N065SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046472050
Артикул
NTBL075N065SC1
Бренд
ON Semiconductor***
Brand
onsemi
Series
NTBL
Pin Count
8
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 1 130 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В МОП-транзистораx на основе полупроводникового карбида кремния (SiC) используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодные xарактеристики коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Кроме того, низкое сопротивление и компактный размер микросxемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают в себя высочайшую эффективность, более быструю частоту работы, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитныx помеx и уменьшение размера системы.

Технические параметры

Brandonsemi
SeriesNTBL
Pin Count8
Mount TypeSurface
Вес, г0.01
Package TypeHPSOF-8L
Product TypeMOSFET
Forward Voltage Vf4.4V
Standards/ApprovalsRoHS
Maximum Power Dissipation Pd139W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs59nC
Maximum Operating Temperature175°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs22.6 V
Maximum Drain Source Voltage Vds650V
Maximum Continuous Drain Current Id37A
Maximum Drain Source Resistance Rds85mΩ

Техническая документация